基本解釋
導(dǎo)體或半導(dǎo)體的導(dǎo)電作用是通過帶電粒子的運(yùn)動(dòng)（即形成電流）而實(shí)現(xiàn)的，這種電流的載體叫做載流子。
詞語來源
該詞語來源于人們的生產(chǎn)生活。
詞語造句
1、理論上基于載流子消耗機(jī)制，對(duì)激光器型波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了小信號(hào)分析，給出了頻率響應(yīng)函數(shù)。
2、研究了不同輻照能量密度和不同激光波長(zhǎng)對(duì)載流子密度和溫度超快變化過程的影響規(guī)律。
3、這種材料中的載流子，許多特性都差不多可用真空中的自由電子的特性來表征。
4、研究了MOS器件中的熱載流子效應(yīng)，在分析了靜態(tài)應(yīng)力下MOSFET壽命模型的基礎(chǔ)上，提出了動(dòng)態(tài)應(yīng)力條件下MOSFET的壽命模型。
5、研究電致發(fā)光有機(jī)薄膜中載流子的輸運(yùn)過程，遷移率是描述輸運(yùn)過程的關(guān)鍵物理量。
6、分析有源區(qū)內(nèi)載流子和VCL光子密度的變化，揭示了增益鉗制的物理機(jī)理。
7、進(jìn)一步的分析認(rèn)為，P3峰很可能聯(lián)系于欠摻雜區(qū)載流子的異常行為。
8、為減小基區(qū)電阻和防止低溫載流子凍析，可增加基區(qū)濃度。
9、熱載流子通過發(fā)射和吸收聲子，與晶格進(jìn)行能量交換。
10、而這種計(jì)算機(jī)模擬方法不僅可以得到自由光電子的衰減曲線，還可同時(shí)獲得各種俘獲中心中載流子的行為曲線。
11、光子探測(cè)器對(duì)不同波長(zhǎng)的分光響應(yīng)是不同的，但是存在一個(gè)由束縛和自由載流子之間的半導(dǎo)體能隙所確定的能閾。
12、本文提出了一種測(cè)量少數(shù)載流子壽命的方法。
13、在LED電極歐姆接觸中，載流子在金屬電極和半導(dǎo)體間有不同的傳輸機(jī)制。
14、BCP層起到了調(diào)節(jié)載流子復(fù)合區(qū)域和改變器件發(fā)光顏色的作用，因此控制BCP的厚度可以改善器件的性能。
15、測(cè)試晶體的吸收光譜、指數(shù)增益系數(shù)、衍射效率和有效載流子濃度。
16、實(shí)驗(yàn)認(rèn)為，器件性能退化是由中子輻照砷化鎵材料的載流子去除效應(yīng)引起的。
17、這個(gè)過程與載流子濃度和晶格溫度有密切關(guān)系。
18、其中，第一個(gè)晶粒間界能夠最有效地減少注入飽和少數(shù)載流子電流。
19、利用少數(shù)載流子的穩(wěn)態(tài)連續(xù)性方程和半導(dǎo)體材料對(duì)光的吸收，求出光電流的表達(dá)式。
20、另外試驗(yàn)結(jié)果也給研究有機(jī)發(fā)光二極管中載流子遷移率提供了一些線索。
21、此外，表面粗糙散射和高場(chǎng)散射主要影響高場(chǎng)下載流子遷移率。
22、指出能量轉(zhuǎn)換特性的最重要的弛豫過程是電子-聲子相互作用，決定了由電子載流子系統(tǒng)到晶格的能量轉(zhuǎn)換。
23、紅外等離子反射光譜與晶體材料的載流子濃度、遷移率和有效質(zhì)量等參數(shù)有關(guān)。
24、平衡晶體中載流子的產(chǎn)生與復(fù)合處于動(dòng)態(tài)平衡之中。
25、相對(duì)而言，在OFET的器件結(jié)構(gòu)和器件參數(shù)以及有機(jī)半導(dǎo)體載流子的輸運(yùn)機(jī)制等方面的研究就比較少。
26、隨著MOS器件尺寸逐漸減小，由熱載流子效應(yīng)導(dǎo)致的損傷變得越來越嚴(yán)重，已成為影響器件性能的主要失效機(jī)制之一。
27、本文回顧了超聲波與半導(dǎo)體中的載流子之間的聲電相互作用。
28、在室溫條件下測(cè)量電流和磁場(chǎng)的大小對(duì)載流子濃度和遷移率測(cè)量結(jié)果的影響。
29、從器件內(nèi)部載流子的輸運(yùn)規(guī)律出發(fā)，作者闡述了這三個(gè)極限參數(shù)引起GTO失效的機(jī)理，建立了三種不同的失效模式；
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