基本解釋
半導(dǎo)體三極管的一個電極。用來把載流子發(fā)射到基極去。參看〖三極管〗。
詞語來源
該詞語來源于人們的生產(chǎn)生活。
詞語造句
1、我們所研究的晶體管都是把電流饋入發(fā)射極。
2、目前共發(fā)射極接法用途最多，應(yīng)用最廣。
3、在最佳工作條件下，給出了集電極電流和集電極-發(fā)射極電壓波形。
4、電路的基本結(jié)構(gòu)采用兩級放大結(jié)構(gòu)，以共發(fā)射極結(jié)構(gòu)作為輸入級，以達(dá)林頓結(jié)構(gòu)作為輸出級。
5、導(dǎo)出多晶硅發(fā)射極晶體管電流增益的表達(dá)式，很好地解釋了實驗結(jié)果。
6、報道了鈍化發(fā)射極、背面定域擴(kuò)散高效率硅太陽電池的研制結(jié)果。
7、長期以來，解決微波功率晶體管的電流集中問題的通用做法是使用發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻，以及PTC，CTR熱敏電阻等無源器件。
8、第五步：調(diào)末級功率管的靜態(tài)電流，該電流值可以經(jīng)由過程測功率管的發(fā)射極電阻的電壓換算而得到。
9、在深入地分析其優(yōu)點的同時論證了選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)是提高太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率的有效途徑。
10、截止頻率是影響共發(fā)射極、共基極和共集電極電路頻率特性的重要因素。
11、發(fā)射極關(guān)斷（ETO）晶閘管是一種新型MOS可控晶閘管。由于它改善了開關(guān)性能，容易控制，因此適用于大功率變流器。
12、高靈敏度，低集電極暗電流，高集電極發(fā)射極電壓型光電耦合器。
13、該有限長的量子結(jié)構(gòu)分與兩半無限長的量子通道相連，當(dāng)施加一偏壓時，量子通道分別可作為電子的發(fā)射極和收集極。
14、本文含有兩方面的研究內(nèi)容：選擇性發(fā)射極太陽電池的研究和光伏工程最佳傾角的設(shè)計研究。
15、基極中空穴的密度小于發(fā)射極和集電極中自由電子的密度。
16、本文提出了一種三指發(fā)射極HBT的設(shè)計。
17、指出了選擇性發(fā)射極太陽電池結(jié)構(gòu)的特征。
18、結(jié)果表明該電阻與光敏區(qū)面積、發(fā)射區(qū)邊長、發(fā)射區(qū)位置、發(fā)射極電流等因素有關(guān)。
19、并對發(fā)射極正反接電壓不同而出現(xiàn)的不同調(diào)制現(xiàn)象進(jìn)行了分析。
20、在晶體管制作過程中采用了發(fā)射極-基極金屬自對準(zhǔn)、空氣橋以及減薄等工藝改善其功率特性。
21、基極總是比發(fā)射極和集電極薄得多。
22、液晶顯示器制造工藝中的降低反射層、透明電極、發(fā)射極與陰極等均由濺射方法形成。
23、選擇性發(fā)射極技術(shù)在電極接觸區(qū)域進(jìn)行高濃度摻雜，而在光吸收區(qū)域進(jìn)行低濃度摻雜，能較好地克服上述問題。
24、介紹了一種新的亞微米發(fā)射極窗口刻蝕工藝。
25、選擇R6的阻值時要確保在負(fù)載電流的最高允許值的條件下，Q2的基極-發(fā)射極電壓大約低于0.5V。
26、由于Q2的基極-發(fā)射極的電壓為0V而截止，因此沒有負(fù)載電流流過R6。
27、當(dāng)ILOAD超過最大允許值時發(fā)生過載情況，R6上的電壓增大導(dǎo)致基極-發(fā)射極電壓足夠大到導(dǎo)通Q2。
28、依靠Q2的基極-發(fā)射極電壓，過流檢測機(jī)制的精度低于過壓功能。
29、圖2-1（a）給出了共發(fā)射極取向白勺晶體管白勺物理特性，同時也給出了硅器件白勺電壓極性和大小。
30、本文研制的光子符合儀利用了高速ECL（發(fā)射極耦合邏輯）電路捕獲、采集由單光子探測器轉(zhuǎn)換輸出的電子窄脈沖，并做符合測量后送往高速緩沖器。
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